衬底温度对CaS∶TbF_3薄膜电致发光亮度的影响 |
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引用本文: | 孙甲明,钟国柱,范希武,郑陈玮.衬底温度对CaS∶TbF_3薄膜电致发光亮度的影响[J].发光学报,1998(1). |
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作者姓名: | 孙甲明 钟国柱 范希武 郑陈玮 |
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作者单位: | 中国科学院长春物理研究所,中国科学院激发态物理开放研究实验室 |
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基金项目: | 中国国家“863”高技术和美国惠普公司合作项目 |
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摘 要: | 利用X射线衍射和扫描电子显微镜对不同衬底温度下电子束蒸发的CaS∶TbF3电致发光薄膜的结晶性和表面形貌进行了研究.通过对薄膜的透射率和漫反射率的测量研究了薄膜的致密性.X射线衍射表明衬底温度在220到580℃范围之间,电子束蒸发的CaS∶TbF3电致发光薄膜为多晶立方晶相.随着衬底温度的提高,CaS∶TbF3薄膜的表面形貌发生显著的变化,薄膜的致密性增加,从而增加了电致发光亮度.
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关 键 词: | 硫化钙,电致发光,衬底温度,表面形貌,结晶性 |
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