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一种GaAs IPD 的宽阻带低通滤波器设计
引用本文:易,康邢孟江侯,明李小珍代传相.一种GaAs IPD 的宽阻带低通滤波器设计[J].微波学报,2020,36(6):57-60.
作者姓名:  康邢孟江侯  明李小珍代传相
作者单位:1. 昆明理工大学 信息工程与自动化学院,昆明 650500; 2. 昆明学院 信息技术学院,昆明 650500
基金项目:国家自然科学基金(61564005,61864004)
摘    要:针对传统低通滤波器尺寸小、阻带范围小的问题,在砷化镓(GaAs)衬底上采用集成无源器件(IPD)工艺设计了一款宽阻带低通滤波器。在切比雪夫型低通滤波器电路上引入两传输零点以提高滚降度,在HFSS 中对该电路结构进行建模与仿真,并进行实物加工与测试。测试结果表明:所设计的滤波器截止频率为11.1 GHz,在15~30 GHz范围内的阻带衰减量大于30dB,整体尺寸仅为800μm×650μm×111. 96μm。

关 键 词:砷化镓  宽阻带  传输零点  低通滤波器  集成无源器件

Design of a GaAs IPD Wide Band Low Pass Filter
YI Kang,XING Meng-jiang,HOU Ming,LI Xiao-zhen,DAI Chuan-xiang.Design of a GaAs IPD Wide Band Low Pass Filter[J].Journal of Microwaves,2020,36(6):57-60.
Authors:YI Kang  XING Meng-jiang  HOU Ming  LI Xiao-zhen  DAI Chuan-xiang
Institution:1. School of Information Engineering and Automation, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650500, China; 2. Department of Information and Technology, Kunming University, Kunming 650500, China
Abstract:
Keywords:gallium arsenide (GaAs)  wide band  transmission zero point  low-pass filter  integrated passive device
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