| 电子和空穴注入对氮掺杂SnO2材料光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 邢丹旭,张昌文,王培吉. 电子和空穴注入对氮掺杂SnO2材料光电性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(12): 2908-2912 |
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| 作者姓名： | 邢丹旭 张昌文 王培吉 |
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| 作者单位： | 济南大学物理学院,济南,250022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61172028) |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的线性缀加平面波(FLAPW)方法研究了电子、空穴对N掺杂SnO2光电性能的影响,结果表明注入空穴比注入电子的Sn16O31N体系禁带宽度减小了0.02 eV,比未注入电子、空穴的Sn16O31N体系变窄了0.04 eV,导带也相对展宽,体系呈现出半金属特性,SnO2材料导电性能有所提高.注入空穴的体系光学特性也发生了较大的变化,其吸收系数、能量损失函数及折射率在低能区域低于本征和电子注入体系,整个体系的态密度向低能方向移动发生了红移,吸收边变宽,体系的光学响应增大.
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| 关 键 词： | SnO2 N掺杂 电子和空穴注入 光电性能, |
Effect of Electron and Hole Injection on the Photoelectric Performance of N-doped SnO2 Materials |
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| XING Dan-xu,ZHANG Chang-wen,WANG Pei-ji. Effect of Electron and Hole Injection on the Photoelectric Performance of N-doped SnO2 Materials[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(12): 2908-2912 |
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| Authors: | XING Dan-xu ZHANG Chang-wen WANG Pei-ji |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SnO2 nitrogen doping electron and hole injection photoelectric performance |
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