| 硅NPN型红外光电晶体管输出光电流及线性度的研究 |
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| 引用本文： | 周涛,陆晓东,吴元庆. 硅NPN型红外光电晶体管输出光电流及线性度的研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(7): 1770-1774 |
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| 作者姓名： | 周涛 陆晓东 吴元庆 |
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| 作者单位： | 渤海大学新能源学院,锦州,121000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11304020) |
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| 摘 要： | 利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了在不同上表面非金属接触区域复合速率(FSRV)、光强(Pin)及光照基区横向宽度(SBL)的情况下,硅NPN红外光电晶体管输出光电流(IL)及输出光电流线性度的变化特点和规律.仿真结果表明:当SBL一定时,随着FSRV的增大,在不同P.的情况下,光电晶体管的IL均减小.当FSRV较小(50～5000 cm/s)时,不同Pin情况下光电晶体管的IL差别较小.当FSRV较大(＞5000 cm/s)时,随着FSRV的增大,不同Pin情况下光电晶体管的IL显著降低.当FSRV—定时,随着SBL的增大,不同Pin情况下光电晶体管的IL均有不同程度的增大.随着SBL和Pin的进一步增大,不同FSRV情况下的IL均逐渐趋于饱和状态.当SBL一定时,FSRV越小,IL进入饱和状态所对应的临界Pin越小.当FSRV—定时,SBL越大,IL进入饱和状态所对应的临界Pin越小.
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| 关 键 词： | 光电晶体管 光照基区 光电流 输出特性 线性度 优化, |
Research on Output Photocurrent and Linearity of Silicon NPN Infrared Phototransistors |
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| ZHOU Tao,LU Xiao-dong,WU Yuan-qing. Research on Output Photocurrent and Linearity of Silicon NPN Infrared Phototransistors[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(7): 1770-1774 |
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| Authors: | ZHOU Tao LU Xiao-dong WU Yuan-qing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | phototransistor the base in the light region photocurrent output characteristic linearity optimization |
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