| 缓冲层对溶胶凝胶制备ZnO∶ Sn薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 范建彬,胡跃辉,陈义川,胡克艳. 缓冲层对溶胶凝胶制备ZnO∶ Sn薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(2): 558-562 |
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| 作者姓名： | 范建彬 胡跃辉 陈义川 胡克艳 |
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| 作者单位： | 景德镇陶瓷学院机械电子工程学院,景德镇,333001 |
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| 基金项目： | 西省高等学校科技落地计划(KJLD12085)，景德镇陶瓷学院研究生创新基金项目(YC2014-S315)，江西省教育厅科技资助项目(GJJ12494 |
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| 摘 要： | 采用溶胶凝胶旋涂法,在石英衬底上引入缓冲层制备ZnO∶Sn薄膜.利用四探针电阻率测试仪、X射线衍射仪(XRD)、光致发光(PL)谱仪、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)等测试手段对薄膜的微观结构和光电性能进行表征.结果表明:所制样品均呈现六角纤锌矿晶体结构并沿C轴择优生长,薄膜的结晶质量和光电性能达到改善,适当厚度的缓冲层可以有效缓解薄膜和衬底间的晶格失配.随着缓冲层厚度的增加,薄膜的电导率以及在可见光范围的透过率先增大后减小.制备两层缓冲层薄膜性能最优,电阻率达到9.5×10-3 Ω·cm,可见光波段的平均透过率为91;.
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| 关 键 词： | 溶胶凝胶 Sn掺杂ZnO薄膜 缓冲层 光电性能, |
Effect of Buffer Layer on the Properties of Sn-doped ZnO Prepared by Sol-Gel Method |
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| FAN Jian-bin,HU Yue-hui,CHEN Yi-chun,HU Ke-yan. Effect of Buffer Layer on the Properties of Sn-doped ZnO Prepared by Sol-Gel Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(2): 558-562 |
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| Authors: | FAN Jian-bin HU Yue-hui CHEN Yi-chun HU Ke-yan |
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| Keywords: | sol-gel Sn-doped ZnO buffer layer optical and electrical property |
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