| PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响 |
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| 引用本文： | 魏榕山,蔡宣敬,罗文强,邓宁.PVP掺杂对PEDOT∶PSS忆阻器学习行为的影响[J].人工晶体学报,2016,45(7):1751-1755. |
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| 作者姓名： | 魏榕山 蔡宣敬 罗文强 邓宁 |
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| 作者单位： | 福州大学物理与信息工程学院,福州,350116;清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61404030) |
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| 摘 要： | 采用旋涂法制备了Ag/PEDOT∶ PSS∶ PVP/Ta忆阻器,发现器件能实现电导的连续变化,并且测试了器件的电学基本性能,包括:模拟短时程可塑性(STP)转化长时程可塑性(LTP)与脉冲频率依赖可塑性(SRDP).测试结果表明:由于PVP掺杂降低了有机层电导,使得掺杂PVP忆阻器具有更大的正向电导变化范围,且大大提高了记忆曲线的弛豫时间常数.该器件具有较大的电导变化范围,易于外部电路的识别,且具有很好的一致性,可以用于大规模神经态电路中.
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| 关 键 词： | 忆阻器 PVP掺杂PEDOT∶PSS 弛豫时间常数 |
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