| 衬底温度对氢化非晶硅薄膜特性的影响 |
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| 引用本文： | 袁俊宝,杨雯,陈小波,杨培志,宋肇宁.衬底温度对氢化非晶硅薄膜特性的影响[J].人工晶体学报,2016(2):417-423. |
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| 作者姓名： | 袁俊宝 杨雯 陈小波 杨培志 宋肇宁 |
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| 作者单位： | 1. 云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明,650500;2. 云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650500;四川文理学院物理与机电工程学院,达州635000;3. 美国托莱多大学物理与天文系,托莱多43606 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51362031;U1037604)，四川省教育厅资助科研项目(15ZB0317) |
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| 摘 要： | 采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)系统,以乙硅烷和氢气为气源,石英玻璃和单晶硅片为衬底制备了氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜。采用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪、台阶仪、紫外可见分光光度计、傅里叶变换红外光谱仪和电子能谱仪等分别表征了a-Si:∶H薄膜的表面形貌、结晶特性、沉积速率,光学带隙,键合结构和Si化合态等特性。结果表明:随着衬底温度的增加,a-Si∶H薄膜表面的颗粒尺寸减小,均匀性增加,沉积速率则逐渐降低;衬底温度从80℃增加到130℃时,光学带隙显著增加,而在130℃至230℃范围内,光学带隙基本不随衬底温度变化;以Si H键对应的伸缩振动的相对峰强度逐渐增加,而以Si H2或(Si H2)n键对应的伸缩振动的相对强度逐渐减小;a-Si∶H薄膜中Si0+态的相对含量增加。因此,衬底温度大于130℃有利于制备优质a-Si∶H薄膜,230℃是沉积a-Si∶H薄膜的最佳衬底温度。
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| 关 键 词： | PECVD 衬底温度 沉积速率 光学带隙 键合方式 化合态 |
Influence of Deposition Temperature on the Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Thin Films |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD deposition temperature deposition rate optical band gap structure factor chemical phases |
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