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| 晶体(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO~(2+)的自旋哈密顿参数及局域结构 | |
| 作者姓名： | 涂超 谢林华 杜香容 |
| 作者单位： | 四川师范大学物理与电子工程学院,成都,610101 |
| 摘 要： | 基于晶体场理论和电荷转移机制,采用双旋-轨耦合参量模型的3d~1离子在D_(4h)对称的晶场中自旋哈密顿参量的高阶微扰公式和晶场能级公式,计算了(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO~(2+)晶体的光吸收谱和自旋哈密顿参量。本文不仅考虑了晶场机制,同时也考虑了电荷转移机制。计算结果与实验数据是一致的。说明电荷转移机制对(ZnKPO_4·6H_2O)∶VO~(2+)晶体的自旋哈密顿参量的结果有不可忽略的作用。 |
| 关 键 词： | 自旋哈密顿参量 晶体场理论 电荷转移机制 (ZnKPO4·6H2O)∶ VO2%2B |
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