| 大尺寸高质量GaSb单晶研究 |
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| 引用本文： | 练小正,李璐杰,张志鹏,张颖武,程红娟,徐永宽.大尺寸高质量GaSb单晶研究[J].人工晶体学报,2016,45(4):901-905. |
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| 作者姓名： | 练小正 李璐杰 张志鹏 张颖武 程红娟 徐永宽 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所,天津,300220 |
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| 摘 要： | 采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成.通过增加覆盖剂除水工艺,成功生长出2英寸高质量GaSb单晶.此外,研究了单晶内部位错分布特点,结果显示GaSb晶体具有较低的位错密度,EPD≤500 cm-2;同时,对晶体进行XRD摇摆曲线测试,其FWHM值为27 arcsec,表明晶体质量较高;此外,对晶体进行了电学性能测试,结果显示制备的GaSb晶体呈P型导电,晶体迁移率为610 cm2/V·s,载流子浓度达到了1.68×1017cm-3.
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| 关 键 词： | GaSb 垂直布里奇曼法 位错密度 覆盖剂 |
Research of Large Size GaSb Single Crystal with High Quality |
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| LIAN Xiao-zheng,LI Lu-jie,ZHANG Zhi-peng,ZHANG Ying-wu,CHENG Hong-juan,XU Yong-kuan.Research of Large Size GaSb Single Crystal with High Quality[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(4):901-905. |
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| Authors: | LIAN Xiao-zheng LI Lu-jie ZHANG Zhi-peng ZHANG Ying-wu CHENG Hong-juan XU Yong-kuan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaSb VB method dislocation density encapsulant |
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