| 低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响 |
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| 引用本文： | 廖建华,尚林,贾伟,余春燕,李天保,许并社.低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响[J].人工晶体学报,2016,45(4):880-885. |
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| 作者姓名： | 廖建华 尚林 贾伟 余春燕 李天保 许并社 |
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| 作者单位： | 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部和山西省重点实验室,太原030024;太原理工大学新材料工程技术研究中心,太原030024 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61475110;21471111)，山西省自然科学基金(2014021019-1;2014011016-6)，山西省科技创新重点团队(2012041011) |
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| 摘 要： | 采用金属有机化学气相沉积方法系统研究了在蓝宝石衬底上低温GaN形核层的形核速率对GaN外延薄膜晶体质量的影响机理.利用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜、光致发光光谱和Hall测试仪表征材料的位错密度、表面形貌以及光、电学性能.研究结果表明随着形核速率的增加,GaN形核层更倾向于三维生长模式;当形核速率达到1.92(A)/s时退火后生成尺寸为100 nm宽、32 nm高的均匀形核岛,随后生长的未掺杂GaN外延薄膜层的螺型和刃型位错密度以及黄带峰强度达到最小值,并且其具有最高的载流子迁移率和最低的载流子浓度.
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| 关 键 词： | 形核速率 形核层 GaN 金属有机化学气相沉积 |
Effect of Nucleation Rate of Low Temperature GaN Nucleation Layer on the Crystal Quality of GaN Epitaxial Thin Films |
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| LIAO Jian-hua,SHANG Lin,JIA Wei,YU Chun-yan,LI Tian-bao,XU Bing-she.Effect of Nucleation Rate of Low Temperature GaN Nucleation Layer on the Crystal Quality of GaN Epitaxial Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(4):880-885. |
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| Authors: | LIAO Jian-hua SHANG Lin JIA Wei YU Chun-yan LI Tian-bao XU Bing-she |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | nucleation rate nucleation layer GaN metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) |
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