HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜 |
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引用本文: | 郭宇坤,周玉荣,陈瑱怡,马宁,刘丰珍.HWCVD低温制备超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜[J].人工晶体学报,2016,45(8):2003-2010. |
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作者姓名: | 郭宇坤 周玉荣 陈瑱怡 马宁 刘丰珍 |
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作者单位: | 中国科学院大学,北京,101408;中国地质大学(北京),北京,100083 |
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基金项目: | 国家重点基础研究发展计划(973计划)(2011CBA00705),青年教师科研启动基金(201524) |
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摘 要: | 采用热丝化学气相沉积(HWCVD)技术在低温条件下(100℃)制备超薄(~30 nm)的硼掺杂硅薄膜.系统研究了氢稀释比例RH对薄膜的微结构和电学性能的影响.当RH由55增加至115,薄膜的有序度增加,晶化率升高,载流子浓度增加,暗电导率增加;同时,薄膜的缺陷密度增加、霍尔迁移率降低.实验证实,当RH=55~70时,超薄硅薄膜开始晶化,这是薄膜由非晶到纳米晶的转化区.快速热退火工艺进一步提高了薄膜导电率.在RH=115、衬底温度为100℃沉积条件下,经过420℃、80 s退火,获得电导率为6.88 S/cm的超薄硼掺杂纳米晶硅薄膜.
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关 键 词: | 热丝化学气相沉积 硅薄膜 硼掺杂 电学性能 |
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