| 热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p+/n+发射极研究 |
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| 引用本文： | 宿世超,王涛,韩宇哲,田罡煜,黄海宾,高超,岳之浩,袁吉仁,周浪.热丝CVD法沉积固态扩散源制备晶硅太阳电池p+/n+发射极研究[J].人工晶体学报,2016,45(11):2591-2595. |
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| 作者姓名： | 宿世超 王涛 韩宇哲 田罡煜 黄海宾 高超 岳之浩 袁吉仁 周浪 |
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| 作者单位： | 南昌大学光伏研究院,南昌,330031 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61306084;61464007)，江苏省能量转换材料与技术重点实验室开放课题基金(NJ20160032)，江西省重点研发计划-技术引进与合作研究-重点项目(2016BBH80043) |
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| 摘 要： | 为进一步提高晶硅太阳能电池发射极的性能,本文提出了一种新的发射极制备技术-低温CVD法沉积固态薄膜扩散源并进行高温扩散.采用热丝化学气相沉积法(HWCVD)在单晶硅片上沉积重掺杂硅基薄膜作为固态扩散源,然后在空气氛围下的管式炉中进行高温扩散,最后用稀HF溶液去除表面的BSG/PSG.通过掺磷薄膜扩散在P型单晶硅片上制备了方阻在50～250 Ω/□范围内可控的n+型发射极;通过掺硼薄膜扩散在N型硅片上制备了方阻在150 ～600Ω/□□范围内可控的p+型发射极.并且通过在源气体中加入CO2作为氧源,实现了扩散后硅片表面残留扩散源层的彻底去除.
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| 关 键 词： | HWCVD 晶硅太阳电池 固态扩散源 发射极 方阻 |
p +/n + Emitter of the Crystalline Silicon Solar Cell Fabricated with Solid Diffusion Source Deposited by HWCVD Method |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | HWCVD crystalline silicon solar cell solid diffusion source emitter sheet resistance |
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