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气体流量对TYUT型MPCVD装置沉积大面积金刚石膜的影响
引用本文:郑可,钟强,高洁,黑鸿君,申艳艳,刘小萍,贺志勇,于盛旺. 气体流量对TYUT型MPCVD装置沉积大面积金刚石膜的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(10): 2359-2363
作者姓名:郑可  钟强  高洁  黑鸿君  申艳艳  刘小萍  贺志勇  于盛旺
作者单位:太原理工大学材料科学与工程学院表面工程研究所,太原,030024;太原理工大学材料科学与工程学院表面工程研究所,太原030024;歌尔声学股份有限公司,青岛261000
基金项目:国家自然科学基金(51474154;51601124),山西省回国留学人员科研资助项目(2015-034)
摘    要:使用自行研制的频率为2.45 GHz的TYUT型MPCVD装置,以H2和CH4为气源,在功率为8 kW、基片温度为1000℃、气体流量为100~800 sccm条件下,进行了直径为65 mm的大面积金刚石膜的沉积实验.使用扫描电镜、X射线衍射仪、数字千分尺和Raman光谱仪等仪器分别对金刚石膜的表面形貌、取向、厚度和品质进行了表征.实验结果表明,气体流量的变化会对金刚石膜的晶粒尺寸,晶体取向,沉积速率,厚度均匀性和品质产生较大的影响.气体流量在300~600 sccm范围内制备的金刚石膜才兼具晶粒尺寸均匀性好、表面缺陷少和品质高的优点.

关 键 词:气体流量  MPCVD  金刚石膜  均匀性  晶粒取向  品质,

Effect of Gas Flow Rates on the Large Area Diamond Films Deposited by TYUT-type MPCVD Equipment
Abstract:
Keywords:gas flow rate  MPCVD  diamond film  uniformity  grain orientation  quality
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