| Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 王海林,孙宜华,莫观孔,方亮,王磊,黄妞.Ga掺杂浓度对溶胶-凝胶法制备GZO薄膜光电性能的影响[J].人工晶体学报,2016,45(3):743-748. |
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| 作者姓名： | 王海林 孙宜华 莫观孔 方亮 王磊 黄妞 |
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| 作者单位： | 三峡大学材料与化工学院,宜昌,443002;三峡大学材料与化工学院,宜昌443002;桂林理工大学广西新能源与建筑节能重点实验室,桂林541004;桂林理工大学广西新能源与建筑节能重点实验室,桂林,541004 |
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| 基金项目： | 广西建筑新能源与建筑节能重点实验室开放基金(A0008) |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法在玻璃基片上制备掺镓氧化锌透明导电薄膜,用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光分光光度计、霍尔效应仪等测试分别表征GZO薄膜的晶体结构、表面形貌、光电性能等,研究Ga掺杂量对GZO薄膜性能的影响.结果表明:所制备的GZO薄膜均为六方纤锌矿结构并有沿c轴择优生长趋势,随着Ga掺杂量的增加,薄膜透过率先增加再减小,当Ga掺杂量为4at;时透过率最高,可见光区平均透过率达97.4;,薄膜电阻率则随掺杂量增加而下降,在Ga掺杂量为5at;时达最小值7.62×10-3 Q·cm.
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| 关 键 词： | 溶胶-凝胶法 GZO薄膜 透过率 电阻率 |
Influences of Ga Doping Concentration on the Photoelectrical Properties of GZO Thin Films Prepared by Sol-Gel Method |
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| WANG Hai-lin,SUN Yi-hua,MO Guan-kong,FANG Liang,WANG Lei,HUANG Niu.Influences of Ga Doping Concentration on the Photoelectrical Properties of GZO Thin Films Prepared by Sol-Gel Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(3):743-748. |
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| Authors: | WANG Hai-lin SUN Yi-hua MO Guan-kong FANG Liang WANG Lei HUANG Niu |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | sol-gel method GZO thin film transmittance resistivity |
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