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掺杂Rh离子SrTiO3晶体缺陷形成能和电子结构的研究
引用本文:严非男,杨晨星,陈俊.掺杂Rh离子SrTiO3晶体缺陷形成能和电子结构的研究[J].人工晶体学报,2016,45(1):279-284.
作者姓名:严非男  杨晨星  陈俊
作者单位:上海理工大学理学院,上海,200093
基金项目:沪江基金研究基地专项资助(B14004)
摘    要:使用CRYSTAL-09软件包模拟计算了完整SrTiO3晶体的电子结构以及Rh离子掺杂SrTiO3晶体的缺陷形成能和电子结构.结果表明Rh离子在晶体中将优先占据Sr格位;Rh掺杂SrTiO3晶体在禁带中出现了一个4d态杂质能级,导致禁带宽度减小,可见光区的光催化活性提高;解释了Rh掺杂SrTiO3晶体具有较高H2产量的原因机理.

关 键 词:Rh掺杂  SrTiO3晶体  缺陷形成能  电子结构  

Studies on the Formation Energies and Electronic Structures of Rh Doped SrTiO3
YAN Fei-nan,YANG Chen-xing,CHEN Jun.Studies on the Formation Energies and Electronic Structures of Rh Doped SrTiO3[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(1):279-284.
Authors:YAN Fei-nan  YANG Chen-xing  CHEN Jun
Abstract:
Keywords:Rh doped  SrTiO3 crystal  defect formation energy  electronic structure
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