Si和6H-SiC衬底上β-FeSi2薄膜的制备 |
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作者姓名: | 宁耀斌 蒲红斌 陈春兰 李虹 李留臣 |
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作者单位: | 西安理工大学自动化与信息工程学院,西安,710048 |
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基金项目: | 陕西省自然科学基金(2015JM6286) |
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摘 要: | 以6H-SiC (0001) Si面和Si(100)为衬底,采用磁控溅射Fe-Si合金靶和Si靶两靶共溅射的方法,并经过后续的快速退火成功制备了β-FeSi2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、拉曼(RAMAN)和电子扫描电镜(SEM)研究了不同衬底对薄膜生长过程的影响.结果表明:与Si衬底不同,6H-SiC为衬底所生长的FeSix薄膜与衬底之间很难产生相互扩散,导致薄膜中的Si原子主要来源于靶材.同时分析不同退火温度对6H-SiC衬底和Si衬底上的FeSix薄膜的影响,并相比较.结果表明:不同衬底Si(100)和6H-SiC (0001) Si面所生长的薄膜经900℃退火时皆完全转化为多晶β-FeSi2相,其择优取向皆为(220)/(202),且随温度从500℃到900℃的不断上升,(220)/(202)衍射峰的强度增强,半高宽变小,得到900℃下的半高宽为0.33°.
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关 键 词: | β-FeSi2薄膜 6H-SiC衬底 Si衬底 磁控溅射, |
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