| AgGaS2多晶合成工艺改进研究 |
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| 引用本文： | 吴小娟,赵欣.AgGaS2多晶合成工艺改进研究[J].人工晶体学报,2016,45(6):1608-1610. |
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| 作者姓名： | 吴小娟 赵欣 |
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| 作者单位： | 中国民用航空飞行学院,广汉,618307 |
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| 基金项目： | 四川省科技厅基金(2015ZR0034)，中国民用航空飞行学院科研基金(J2014-92) |
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| 摘 要： | 按同成分熔化点配料,采用改进了合成温控条件的双温区气相输运法成功合成出AgGaS2多晶原料,通过精确控温,有效避免了反应过程中由S蒸汽压过大引发的合成石英安瓿炸裂,提高了AgGaS2多晶合成的质量和成功率.经过XRD、DSC测试分析,结果表明:经改进方法合成的AgGaS2多晶材料是高纯单相、均匀致密的,为高质量AgGaS2单晶的生长提供了优质原料.
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| 关 键 词： | 硫镓银 多晶合成 双温区 |
Study on Improved Synthesis Technology of AgGaS2 Polycrystal |
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| WU Xiao-juan,ZHAO Xin.Study on Improved Synthesis Technology of AgGaS2 Polycrystal[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(6):1608-1610. |
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| Authors: | WU Xiao-juan ZHAO Xin |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | AgGaS2 polycrystal synthesis two-temperature zone |
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