| 预制层衬底加热对Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 张俊芝,代福,范东华,郑春来.预制层衬底加热对Cu2ZnSnS4薄膜性能的影响[J].人工晶体学报,2016,45(4):1017-1023. |
| |
| 作者姓名： | 张俊芝 代福 范东华 郑春来 |
| |
| 作者单位： | 五邑大学应用物理与材料学院,江门,529020;陕西理工学院物理与电信工程学院,汉中,723000 |
| |
| 基金项目： | 广东省教育厅科技创新项目(2013KJCX0181)，广东省教育厅特色创新项目(2014KTSCX131)，陕西理工学院校级科研项目(SLGKY15-25) |
| |
| 摘 要： | 本文采用二步法制备Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜,首先通过真空热蒸发制备CuZnSn (CZT)预制层,其衬底加热温度分别为20℃、50℃、75℃和100℃,然后对所制备的CZT预制层在400℃下硫化60 min,从而制备出CZTS薄膜.利用XRD、Raman、SEM、反射谱和透射谱对所制备的CZTS薄膜进行了表征,实验结果表明,预制层衬底加热温度对CZTS薄膜结构与光学特性有很大影响,在衬底加热50℃时制备预制层硫化后所得CZTS薄膜具有高的结晶度、致密均匀的薄膜表面和最佳1.5 eV光学带隙.此外,与衬底未加热制备预制层在500℃和90 min最佳硫化条件下所制备的高纯CZTS薄膜相比,在50℃预制层衬底加热条件下所制备CZTS薄膜具有更好地结晶质量、更低的硫化温度和更短的硫化时间,这种现象表明衬底加热制备金属预制层利于更高品质CZTS薄膜的制备,可有效的降低硫化温度和缩短硫化时间,当前的研究结果为在低温下实现高质量CZTS薄膜的制备提供了一种有效的途径.
|
| 关 键 词： | Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜 衬底加热 晶体性能 |
Effect of Substrate Heating on Cu2ZHSHS4 Thin Films Properties |
| |
| ZHANG Jun-zhi,DAI Fu,FAN Dong-hua,ZHENG Chun-lai.Effect of Substrate Heating on Cu2ZHSHS4 Thin Films Properties[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(4):1017-1023. |
| |
| Authors: | ZHANG Jun-zhi DAI Fu FAN Dong-hua ZHENG Chun-lai |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | Cu2ZnSnS4 (CZTS) thin film substrate temperature crystal quality |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
