| N型半导体金刚石的研究现状与展望 |
| |
| 引用本文： | 李尚升,许安涛,王生艳,刘书强,于昆鹏,王健康,韩飞.N型半导体金刚石的研究现状与展望[J].人工晶体学报,2016,45(11):2728-2734. |
| |
| 作者姓名： | 李尚升 许安涛 王生艳 刘书强 于昆鹏 王健康 韩飞 |
| |
| 作者单位： | 河南理工大学材料科学与工程学院,焦作,454000;焦作师范高等专科学校数学学院,焦作,454000;焦作市激光研究所,焦作,454002 |
| |
| 基金项目： | 河南理工大学创新型科研团队支持计划(T2013-4)，河南理工大学材料工程专业学位研究生专业实践示范基地(2016YJD03)，河南省教育厅重点资助(12A430010)，焦作市应用基础研究项目(212) |
| |
| 摘 要： | 作为半导体材料的金刚石具有宽的禁带宽度和高的热导率、介质击穿场强等优异性质,因此其应用前景广阔.P型金刚石发展较N型金刚石成熟.因为缺乏可实用的N型金刚石材料,这使得金刚石半导体器件的应用难以实现.因此N型半导体金刚石成为研究者关注的焦点.论文从掺杂元素和制备方法两方面详细介绍了国内外N型金刚石的研究现状.硼与磷或硫元素共掺杂获得N型金刚石的研究取得了较大进展;利用化学气相沉积法和离子注入法制备N型半导体金刚石研究较多且取得了一定进展.高压高温下的温度梯度法便于掺杂调控金刚石性能,因而利用该法合成N型半导体金刚石大单晶值得尝试.
|
| 关 键 词： | 金刚石 N型半导体 掺杂 |
Research Status and Prospect of N Type Semiconductor Diamond |
| |
| LI Shang-sheng,XU An-tao,WANG Sheng-yan,LIU Shu-qiang,YU Kun-peng,WANG Jian-kang,HAN Fei.Research Status and Prospect of N Type Semiconductor Diamond[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(11):2728-2734. |
| |
| Authors: | LI Shang-sheng XU An-tao WANG Sheng-yan LIU Shu-qiang YU Kun-peng WANG Jian-kang HAN Fei |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | diamond N type semiconductor doping |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文 |
|
