| 反应溅射法制备高透明导电ZnO薄膜的研究 |
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| 引用本文： | 谢挺,祝柏林,杨玉婷,张俊峰,龙晓阳,吴隽.反应溅射法制备高透明导电ZnO薄膜的研究[J].人工晶体学报,2016,45(3):711-717. |
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| 作者姓名： | 谢挺 祝柏林 杨玉婷 张俊峰 龙晓阳 吴隽 |
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| 作者单位： | 武汉科技大学,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉430081;武汉科技大学,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉430081;华中科技大学,材料成形与模具技术国家重点实验室,武汉430074 |
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| 基金项目： | 材料成形与模具技术国家重点实验室开放基金课题(P2014-06) |
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| 摘 要： | 利用Zn/ZnO复合靶材,通过射频磁控溅射技术,在衬底温度为150℃时分别在Ar+O2和Ar+H2的混合气氛中制备ZnO薄膜,通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试仪、紫外-可见分光光度计研究了O2和H2流量对薄膜结构及透明导电性能的影响.结果发现,薄膜厚度随O2流量增加而明显增加而随H2流量增加呈下降趋势.只有通入合适流量的O2或H2,薄膜才能保持(002)择优取向、较高的结晶度以及较小的压应力,同时在薄膜中形成高浓度Vo和/或Hi等缺陷,因此有效降低ZnO薄膜的电阻率,并保持高的透光率,从而改善ZnO薄膜透明导电性能.当前研究中,当O2和H2流量分别为0.4 sccm和2.0 sccm时,得到的最低电阻率分别为6.33×10-3和2.51×10-3Ω·cm,平均透光率均大约为81.5;,相应的最高品质因子分别为1.04×10-3和1.29×10-3 Ω-1.
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| 关 键 词： | Zn/ZnO复合靶 反应溅射 气体流量 ZnO薄膜 结晶度 透明导电性 |
Study on Highly Transparent Conductive ZnO Thin Films Deposited by Reactive Magnetron Sputtering Method |
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| XIE Ting,ZHU Bai-lin,YANG Yu-ting,ZHANG Jun-feng,LONG Xiao-yang,WU Jun.Study on Highly Transparent Conductive ZnO Thin Films Deposited by Reactive Magnetron Sputtering Method[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(3):711-717. |
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| Authors: | XIE Ting ZHU Bai-lin YANG Yu-ting ZHANG Jun-feng LONG Xiao-yang WU Jun |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Zn/ZnO composite target reactive sputtering gas flux ZnO thin film crystallinity transparent conductive properties |
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