摘 要: | TH703 2005031635 MOCVD-Ga0.4In0.6As0.85P0.15/InP分布布喇格反射镜的反 射率=Reflectivity of MOCVD-Ga0.4In0.6AS0.85 P0.15/InP distributed Bragg reflectors[刊,中]/蒋红(中科院长春光 机所激发态物理重点实验室.吉林,长春(130033)),金亿 鑫…∥发光学报.-2004,25(6).-686-690 采用MOCVD方法,获得高质量的InP和较高质量的 GaxIn1-xAsyP1-y外延层,通过GaxIn1-xAsyP1-y/InP交替 生长制备出在工作波长为1.55μm时具有较高反射率的 分布布喇格反射镜。根据光在多层介质膜中传播的传递
|