| 亚波长介质光栅对单层过渡金属硫化物的发光增强 |
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| 作者姓名： | 陶广益 齐鹏飞 戴宇琛 石蓓蓓 黄逸婧 张天浩 方哲宇 |
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| 作者单位： | 1. 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室;2. 南开大学物理科学学院光子学中心弱光非线性光子学教育部重点实验室天津市信息科学光子学材料与技术重点实验室;3. 南开大学现代光学研究所天津市微尺度光学信息技术科学重点实验室 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2017YFA0206000)；;北京市自然科学基金(批准号:Z180011)；;国家自然科学基金(批准号:12027807,61521004)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 过渡金属硫化物单层具有直接带隙,可产生较强的光致发光,这一特殊的性质使其在光电器件、光电探测等领域具有广泛的应用前景.由于只有原子级别的厚度以及存在激子的非辐射复合,其光致发光效率仍有待提高.本文设计了一种金膜-二氧化钛光栅-过渡金属硫化物单层组合结构,可大幅提升过渡金属硫化物单层光致发光效率.利用Purcell效应对自发辐射速率进行控制,得到峰值为3.4倍的发光增强.研究了单层二硫化钨以及单层二硒化钨在设计结构上的光致发光信号,通过实验证实了过渡金属硫化物单层与亚波长光栅耦合结构中光致发光增强的可行性,为二维材料在光电器件中的应用提供了一个新思路.
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| 关 键 词： | 过渡金属硫化物 亚波长光栅 光致发光 Purcell效应 |
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