| 单分子器件电输运中基于量子干涉效应的调控策略 |
| |
| 引用本文： | 李瑞豪,刘俊扬,洪文晶.单分子器件电输运中基于量子干涉效应的调控策略[J].物理学报,2022(6):157-167. |
| |
| 作者姓名： | 李瑞豪 刘俊扬 洪文晶 |
| |
| 作者单位： | 厦门大学化学化工学院固体表面物理化学国家重点实验室 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:21933012,31871877)；;国家重点研发计划(批准号:2017YFA0204902)；;中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:20720200068,20720190002)资助的课题~~； |
| |
| 摘 要： | 单分子器件电输运中的量子干涉效应是电子在分子独立的轨道能级内传输时因保持量子相干性,从而在不同能级之间发生相互干涉的现象.这种现象导致了电子在单分子器件内透射概率的增加或减小,在实验中体现为单分子器件电导值的升高或降低.近些年,利用量子干涉效应对不同的单分子器件进行调控在实验中被证实是有效的调控手段,如对单分子开关、单分子热电器件、单分子自旋器件等器件性能的调控.本文介绍了量子干涉效应的相关理论与预测、实验观测与证实,以及其在不同单分子器件上的调控作用.
|
| 关 键 词： | 分子电子学 单分子器件 量子干涉效应 |
|
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 |
|
