| 金属-氧化物界面在磁隧道结中的作用 |
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| 引用本文： | 徐明. 金属-氧化物界面在磁隧道结中的作用[J]. 物理, 2000, 29(5): 316-317 |
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| 作者姓名： | 徐明 |
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| 作者单位： | 中国科学院物理研究所 |
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| 摘 要： | 磁隧道结通常是指由两层磁性金属和它们所夹的一层氧化物绝缘层 (Ⅰ )所组成的三明治结构 .通过绝缘层势垒的隧穿电子是自旋极化的 ,这种自旋极化能够反映作为电极的铁磁金属费米能级处态密度 (ＤＯＳ)的变化 .起源于自旋极化的隧道磁阻(ＴＭＲ)效应已成为当代磁学的一个研究热点 .尽管目前在ＴＭＲ的研究和应用方面已有所发展 ,但在理解隧穿自旋极化方面还存在一定的分歧 ,争论的焦点是金属 -氧化物界面对自旋极化的影响 .对于Ｃｏ、Ｎｉ等铁磁金属 ,由于多数自旋电子所处的ｄ带位于费米能级之下 ,理论预期其自旋极化应该是负的 .然而Ｆ/Ａ…
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| 关 键 词： | 金属－氧化物界面 磁隧道结 TMR |
Role of the Metal-oxide Interface in Magnetic Tunnel Junctions |
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| XU Ming. Role of the Metal-oxide Interface in Magnetic Tunnel Junctions[J]. Physics, 2000, 29(5): 316-317 |
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| Authors: | XU Ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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