顺磁性对单晶GdBa2Cu3O6＋y监界电流密度的影响

由于单晶ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ６＋ｙ样品中Ｇｄ＾３＋离子本身固有磁矩对样品有顺磁贡献，使得样品的磁滞回线有所倾斜并使磁滞回线的宽度增大，因而使根据Ｂｅａｎ模型得到的临界电流密度偏离了其真正的值，在温度Ｔ＝４．２Ｋ时，偏离达到８％，因而在对ＹＢＣＯ和ＧＢＣＯ进行比较研究时，对ＧＢＣＯ临界电流密度的修正是必要的。这一顺磁磁化强度的磁场依赖关系可以用反铁磁的分子场理论给以很好的描述。