一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法 |
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引用本文: | 杨晓东,田立林,陈文松.一种基于电荷泵技术的界面态横向分布测量方法[J].半导体学报,1998,19(11):834-840. |
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作者姓名: | 杨晓东 田立林 陈文松 |
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作者单位: | 清华大学微电子学研究所 |
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摘 要: | 本文以电荷泵技术为测量手段,结合数值计算,提出了一种新的测量界面态横向分布的方法.与传统方法相比具有理论模型较完善、测量中不引入新的蜕变、易于实现的特点,适用于研究短沟道器件的热载流子蜕变效应.用该方法对1.2μmLDD结构n-MOSFET进行了研究,得到了应力后漏端附近产生的界面态的横向分布以及应力后阈值电压、平带电压的变化,并能确定由于热电子注入产生的氧化层陷阱电荷的数量和位置
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关 键 词: | 电荷泵技术 界面态 设计 IC VLSI/ULSI |
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