在TB框架中能带结构对深能级波函数的影响 THE INFLUENCE OF THE BAND STRUCTURE ON DEEP LEVEL WAVE FUNCTION期刊界 All Journals 搜尽天下杂志传播学术成果专业期刊搜索期刊信息化学术搜索

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在TB框架中能带结构对深能级波函数的影响

引用本文：	范希庆,张德萱,申三国.在TB框架中能带结构对深能级波函数的影响[J].物理学报,1988,37(2):177-182.

作者姓名：	范希庆张德萱申三国

作者单位：	郑州大学物理系

摘要：	用第三近邻紧束缚的基体的能带,计算了Si中深能级杂质的A₁,T₂对称波函数,并同现有的TB计算结果进行了比较。定量地给出了在TB框架中不同的能带近似给波函数带来的分散性。关键词：
收稿时间：	1986-11-03
THE INFLUENCE OF THE BAND STRUCTURE ON DEEP LEVEL WAVE FUNCTION

FAN XI-QING,ZHANG DE-XUAN and SHEN SAN-GUO.THE INFLUENCE OF THE BAND STRUCTURE ON DEEP LEVEL WAVE FUNCTION[J].Acta Physica Sinica,1988,37(2):177-182.

Authors:	FAN XI-QING ZHANG DE-XUAN and SHEN SAN-GUO

Abstract:	Numerical results of A₁, T₂ symmetric sp³ bonded deep level wave function in Si arc calculated in the third neighbors TB frame work, and compared with the existing TB calculations. The influence of different band structure approach on the wave function is given quantitatively.

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