MOCVD装置的最近动向

1、前言最近,砷化镓等薄膜形成技术正受到人们的重视。化合物半导体的电气性能、光学特性具有硅半导体所没有的种种特长,人们期待其结晶生长技术的发展,以发光二极管、霍尔元件、高效率太阳电池、砷化镓IC、超晶格元件等为代表的下一代电子材料的研制开发会随着用户需求量的增多而急速发展。笔者将在本文中介绍他们在研制MOC-VD法装置中,特别费神之处以及今后有待改进的2～3个问题,同时,还将介绍他们最近研制的试验、研究用的装置及有关小批量生产型的MOCVD装置,MCV-310和MCV-2035的几个特点。