| 射频溅射SiO2在制造Si/SiGeHBT中的应用 |
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| 引用本文： | 邹德恕,徐晨,罗辑,陈建新,高国,魏泽民,沈光地.射频溅射SiO2在制造Si/SiGeHBT中的应用[J].半导体技术,1999,24(4):12-14. |
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| 作者姓名： | 邹德恕 徐晨 罗辑 陈建新 高国 魏泽民 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子工程系,北京100022 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 介绍了射频溅射ＳｉＯ２的原理与工艺，对制造出的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴ作了分析。
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| 关 键 词： | 射频溅射 |
Application of the SiO2 Film Produced by RF Sputtering in Fabrication of SiGe/Si HBT |
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| Zou Deshu,Xu Chen,Luo Ji,Chen Jianxin,Gao Guo,Wei Zemin,Shen Guangdi.Application of the SiO2 Film Produced by RF Sputtering in Fabrication of SiGe/Si HBT[J].Semiconductor Technology,1999,24(4):12-14. |
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| Authors: | Zou Deshu Xu Chen Luo Ji Chen Jianxin Gao Guo Wei Zemin Shen Guangdi |
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| Abstract: | The principle and technique of RF sputtering SiO2 were introduced and the SiGe/Si HBT using the SiO2 films were characterized. |
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| Keywords: | Si/SiGeHBT SiO2 |
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