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Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料
引用本文:崔敬忠,甘润今,陈光华,张仿清,杨树人,刘宝林,陈伯军,刘式墉.Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料[J].兰州大学学报(自然科学版),1995(1).
作者姓名:崔敬忠  甘润今  陈光华  张仿清  杨树人  刘宝林  陈伯军  刘式墉
作者单位:兰州大学物理学系,国家集成光电子学联合实验室,吉林大学实验区
基金项目:国家集成光电子学联合实验室资助
摘    要:Lp─MOCVD生长InAlAs量子阱结构材料崔敬忠,甘润今,陈光华,张仿清(兰州大学物理学系,兰州730000)杨树人,刘宝林,陈伯军,刘式墉(国家集成光电子学联合实验室,吉林大学实验区,长春130023)与InP匹配的In0.52Al0.48As...

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