| 掺杂位置对基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器的消光比的影响 |
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| 引用本文： | 赵勇,王皖君,邵海峰,杨建义,王明华,江晓清.掺杂位置对基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器的消光比的影响[J].半导体学报,2012,33(1):014009-3. |
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| 作者姓名： | 赵勇 王皖君 邵海峰 杨建义 王明华 江晓清 |
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| 作者单位： | 浙江大学,浙江大学,浙江大学,浙江大学,浙江大学,浙江大学 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划（973计划） |
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| 摘 要： | 在基于马赫-曾德尔干涉的硅光调制器中,载流子吸收会极大的影响器件的消光比。并且,不同的掺杂位置会引起注入的载流子的分布不一样,从而导致不同的消光比。从实验上研究了这一现象,实验中的器件采用0.18 μm CMOS工艺制作在SOI材料上。实验表明,掺杂位置离脊波导的边沿0.5 μm左右时,器件会获得最佳的消光比。
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| 关 键 词： | 硅绝缘体 光调制器 兴奋剂 消光比 干涉仪 马赫 设备使用 载流子吸收 |
| 收稿时间： | 7/1/2011 10:37:45 AM |
| 修稿时间： | 8/8/2011 6:25:56 PM |
Influence of doping position on the extinction ratio of Mach-Zehnder-interference based silicon optical modulators |
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| Zhao Yong,Wang Wanjun,Shao Haifeng,Yang Jianyi,Wang Minghua and Jiang Xiaoqing.Influence of doping position on the extinction ratio of Mach-Zehnder-interference based silicon optical modulators[J].Chinese Journal of Semiconductors,2012,33(1):014009-3. |
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| Authors: | Zhao Yong Wang Wanjun Shao Haifeng Yang Jianyi Wang Minghua and Jiang Xiaoqing |
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| Institution: | Department of Information Science and Electronics Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China;Department of Information Science and Electronics Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China;Department of Information Science and Electronics Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China;Department of Information Science and Electronics Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China;Department of Information Science and Electronics Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China;Department of Information Science and Electronics Engineering, Zhejiang University, Hangzhou 310027, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | silicon photonics modulator carrier dispersion effect carrier absorption doping position |
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