| 氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理北大核心 |
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| 引用本文： | 张燕刘玉岭王辰伟闫辰奇邓海文.氧化剂在TSV铜膜CMP中钝化机理北大核心[J].微纳电子技术,2015(11):737-740. |
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| 作者姓名： | 张燕刘玉岭王辰伟闫辰奇邓海文 |
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| 作者单位： | 1.河北工业大学微电子研究所300130; |
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| 基金项目： | 国家中长期科技发展规划02科技重大专项(2009ZX02308)；河北省青年自然科学基金资助项目(F2015202267)；河北省教育厅项目(QN2014208) |
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| 摘 要： | 为实现TSV硅衬底表面铜去除速率的优化,对影响TSV铜去除速率的最主要因素抛光液组分(如磨料、螯合剂、活性剂和氧化剂)中的氧化剂进行分析。通过对不同体积分数的氧化剂电化学实验进行钝化机理的研究,从而得到最佳的氧化剂体积分数,再进行铜的静态腐蚀实验和抛光实验对铜的去除速率进行验证。实验结果表明,氧化剂体积分数为0.5%时铜具有较高的去除速率,能够满足工业需要。最后,对CMP过程机理和钝化机理进行分析,进一步验证了氧化剂在TSV铜化学机械平坦化中的作用。
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| 关 键 词： | 去除速率 硅通孔化学机械抛光(TSV CMP) 开路电位 静态腐蚀电位 钝化作用 氧化剂 |
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