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| 非晶硅超晶格 | |
| 作者姓名： | 何宇亮 |
| 摘 要： | 半导体超晶格是1970年在美国IBM公司工作的江崎等人首先提出来的.随着分子束外延技术(MBE)的发展,已在七十年代实现了这种能达到原子量级、能进行精细加工的人造晶格结构.由于它具有一系列新颖的物理性能,越来越受到学术界的重视.人们认为,在不久的将来有可能采用各种超晶格结构制成新型电子器件,这种器件将会在各个领域里起主导或取代现有器件的作用. 从1983年起。在多次国际会议上已提出了一种新型的超晶格──非晶态半导体超晶格,或称为非晶态半导体多层膜结构.美国EXXON公司的B.Abeles和T·Tiedje首先著文介绍了这一新颖的工作[1]… |
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