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| MOS系统中钠离子的运动模型 | |
| 引用本文： | 徐至中. MOS系统中钠离子的运动模型[J]. 物理, 1981, 10(3). |
| 作者姓名： | 徐至中 |
| 作者单位： | 复旦大学物理系 |
| 摘 要： | 一、引言为了解决半导体硅器件特别是ＭＯＳ器件的稳定性问题，从六十年代中期开始，对ＭＯＳ系统中由于可动离子沾污而引起的不稳定性问题，进行了大量的工作．研究结果表明，Ｎａ＋，Ｋ＋，Ｌｉ＋及Ｆ－等在二氧化硅层中都是可以移动的[１，２］．在实际半导体硅器件中沾污最严重，对器件特性影响最大的是Ｎａ＋．为了进一步控制钠离子沾污对器件特性的影响，人们用不同的电学测量方法[３］从各种不同角度对钠离子在氧化层中?... |
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