| 不同能量He离子注入单晶Si引起的损伤研究 |
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| 引用本文： | 刘昌龙,尹立军,吕依颖,阮永丰,E.Ntsoenzok,D.Alquier.不同能量He离子注入单晶Si引起的损伤研究[J].人工晶体学报,2005,34(4):714-719. |
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| 作者姓名： | 刘昌龙 尹立军 吕依颖 阮永丰 E.Ntsoenzok D.Alquier |
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| 作者单位： | 天津大学理学院物理系,天津,300072;天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津,300072;天津大学理学院物理系,天津,300072;CERI/CNRS,3A rue de la Férollerie,45071 Orléans Cedex 2,France;LMP/STMicroelectronics,16 rue Pierre et Marie Curie,B.P.7155 ,F37071 Tours Cedex,France |
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| 基金项目： | 天津大学留学回国人员启动资金（W50301）和教育部留学人员回国基金（No.413147）资助项目 |
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| 摘 要： | 40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌.结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量.结合TRIM程序计算结果对空腔和其它缺陷产生对He离子能量的依赖性进行了讨论.
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| 关 键 词： | 单晶Si He离子注入 高温退火 He空腔 透射电子显微镜 |
| 文章编号： | 1000-985X（2005）04-0714-06 |
| 收稿时间： | 01 12 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 2005-01-122005-03-01 |
Damage Creation in Single Crystal Silicon Induced by He Ion Implantation at Different Energies |
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| LIU Chang-Long,YIN Li-jun,LU Yi-ying,RUAN Yong-feng,E.Ntsoenzok,D.Alquier.Damage Creation in Single Crystal Silicon Induced by He Ion Implantation at Different Energies[J].Journal of Synthetic Crystals,2005,34(4):714-719. |
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| Authors: | LIU Chang-Long YIN Li-jun LU Yi-ying RUAN Yong-feng ENtsoenzok DAlquier |
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| Institution: | LIU Chang-long~ |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | single crystal silicon He ion implantation high temperature annealing He-cavities transmission electron microscopy |
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