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| 超快光脉冲照射GaAs晶体产生的干涉环 | |
| 作者姓名： | 尚玲玲 钱轩 孙天娇 姬扬 |
| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室;2. 中国科学院大学材料科学与光电技术学院 |
| 基金项目： | 国家重点研发计划(批准号:2016YFA0301202)；;国家自然科学基金(批准号:11674311)资助的课题~~； |
| 摘 要： | 用飞秒脉冲激光照射砷化镓(gallium arsenide, GaAs)晶体,透射光出现了多级的干涉环.利用透射式Z-扫描光路,改变飞秒脉冲激光入射到GaAs晶体表面时的功率密度,观察到干涉环有规律地收缩(或扩张):功率密度越大,出现的干涉环越多,张角也越大.高强度飞秒脉冲激光的非线性效应局部地改变了GaAs晶体的折射率,从而导致光程差的出现,这是一种非线性效应(克尔透镜).超快光脉冲在GaAs晶体里产生的克尔透镜不能像理想的薄透镜那样把光束聚焦,而是让透镜光束形成了干涉环.通过分析干涉环的变化,可以得到GaAs晶体的非线性吸收系数和非线性折射率. |
| 关 键 词： | 相干干涉 非线性光学 超快光脉冲 克尔透镜 |