条形GaAs半导体激光器的非线性温度特性 |
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引用本文: | 周佩珍,李兆霖,齐上雪,戴守愚.条形GaAs半导体激光器的非线性温度特性[J].物理,1979(5). |
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作者姓名: | 周佩珍 李兆霖 齐上雪 戴守愚 |
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作者单位: | 中国科学院物理研究所
(周佩珍,李兆霖,齐上雪),中国科学院物理研究所(戴守愚) |
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摘 要: | 一、前 言 在通常的(AlGa)As条形半导体双异质结激光器的输出功率随注入电流变化的过程中,由于非线性扭曲现象的存在,限制了输出功率的动态范围,带来了使用的局限性。尤其在模拟调制的通讯系统中,对讯号引入畸变,在与光纤的耦合上也造成困难。因此,非线性问题的研究成为重要课题之一。 目前对非线性问题的研究大多在固定温度条件下进行1-3].对于非线性现象在低温下随温度的变化关系叙述不多.然而对激光器低温特性的研究还是重要的4].我们在低温的不同温度下对激光器的非线性现象进行了观察。定性作了初步探讨,以便从实验结果进一步了解…
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