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条形GaAs半导体激光器的非线性温度特性
引用本文:周佩珍,李兆霖,齐上雪,戴守愚.条形GaAs半导体激光器的非线性温度特性[J].物理,1979(5).
作者姓名:周佩珍  李兆霖  齐上雪  戴守愚
作者单位:中国科学院物理研究所 (周佩珍,李兆霖,齐上雪),中国科学院物理研究所(戴守愚)
摘    要:一、前 言 在通常的(AlGa)As条形半导体双异质结激光器的输出功率随注入电流变化的过程中,由于非线性扭曲现象的存在,限制了输出功率的动态范围,带来了使用的局限性。尤其在模拟调制的通讯系统中,对讯号引入畸变,在与光纤的耦合上也造成困难。因此,非线性问题的研究成为重要课题之一。 目前对非线性问题的研究大多在固定温度条件下进行1-3].对于非线性现象在低温下随温度的变化关系叙述不多.然而对激光器低温特性的研究还是重要的4].我们在低温的不同温度下对激光器的非线性现象进行了观察。定性作了初步探讨,以便从实验结果进一步了解…

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