| 制备45°双外延超导结的新工艺 |
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| 作者姓名： | 李壮志 王福仁 孟树超 马平 聂瑞娟 戴远东 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871;北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)，国家高技术研究发展计划(863计划) |
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| 摘 要： | 我们使用脉冲激光沉积方法对YBa2Cu3O7-δ(YBCO)薄膜在MgO基片上通过CeO2/YSZ双缓冲层的生长进行了系统的研究,发现MgO单晶基片的表面质量是决定能否得到理想外延薄膜质量的关键因素,通过使用低能离子束对MgO表面进行轰击,以增加其表面粗糙度和去除变质层,得到了具有100%面内45°旋转的YBCO外延膜,其临界电流密度77K时在106A/cm2量级.通过湿法刻蚀得到的双外延Josephson结表现出RSJ特性.
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| 关 键 词： | YBCO薄膜 双外延超导结 低能离子束 |
| 收稿时间： | 2004-10-16 |
| 修稿时间： | 2004-10-16 |
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