| 温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 秦秀娟,邵光杰,赵琳. 温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜的影响[J]. 无机化学学报, 2013, 29(4): 723-728 |
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| 作者姓名： | 秦秀娟 邵光杰 赵琳 |
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| 作者单位： | 燕山大学, 河北省应用化学重点实验室, 秦皇岛 066004;燕山大学, 河北省应用化学重点实验室, 秦皇岛 066004;燕山大学, 亚稳材料制备技术与科学国家重点实验室, 秦皇岛 066004;燕山大学, 河北省应用化学重点实验室, 秦皇岛 066004 |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金(No.B2012203070);河北省教育厅科学研究计划河北省高等学校自然科学研究重点项目(No.ZH2011228)资助项目。 |
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| 摘 要： | 低成本、大面积、沉积速率高、均匀性好、光电性能优良的Al掺杂ZnO薄膜(AZO)制备技术依然是透明导电薄膜领域研究的重点之一。本文采用冷壁式气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD)技术在玻璃衬底上制备了AZO透明导电薄膜,研究了衬底温度对薄膜结构和光、电性能的影响。利用X射线衍射、原子力显微镜、紫外-可见光谱和光致发光光谱等对样品进行了表征。结果表明:在AACVD法生长AZO薄膜的过程中,衬底温度对AZO薄膜晶面的择优取向生长影响呈起伏式变化。明显的电学性能的转变温度发生在约400℃,光学性能和晶面的择优取向生长变化出现在约450℃。讨论了温度对AACVD法制备AZO透明导电薄膜结构和光、电性能影响的微观机制。400℃时沉积的AZO薄膜方阻190Ω/□,平均透过率为80%。
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| 关 键 词： | 气溶胶辅助化学气相沉积(AACVD) AZO薄膜 温度 极性半导体 结晶质量 |
| 收稿时间： | 2012-07-25 |
| 修稿时间： | 2012-10-08 |
Effect of Substrate Temperature on the AZO Films Grown by AACVD Technique |
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| QIN Xiu-Juan,SHAO Guang-Jie and ZHAO Lin. Effect of Substrate Temperature on the AZO Films Grown by AACVD Technique[J]. Chinese Journal of Inorganic Chemistry, 2013, 29(4): 723-728 |
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| Authors: | QIN Xiu-Juan SHAO Guang-Jie ZHAO Lin |
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| Affiliation: | Hebei Key Laboratory of Applied Chemistry, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China;Hebei Key Laboratory of Applied Chemistry, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China;State Key Laboratory of Metastable Materials Science and Technology, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China;Hebei Key Laboratory of Applied Chemistry, Yanshan University, Qinhuangdao, Hebei 066004, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aerosol-assisted chemical vapour deposition (AACVD) AZO film temperature polar semiconductor crystalline quality |
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