| Ti掺杂对(LaMn1-xTixO3)0.67(NiMn2O4)0.33(0≤x≤0.7)陶瓷材料微结构及电性能影响 |
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| 引用本文： | 关芳,张惠敏,赵丽君,常爱民,赵鹏君,张博.Ti掺杂对(LaMn1-xTixO3)0.67(NiMn2O4)0.33(0≤x≤0.7)陶瓷材料微结构及电性能影响[J].无机化学学报,2013,29(4):760-766. |
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| 作者姓名： | 关芳 张惠敏 赵丽君 常爱民 赵鹏君 张博 |
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| 作者单位： | 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学, 北京 100049;中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学, 北京 100049;中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学, 北京 100049;中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学, 北京 100049 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.50902148);中科院“西部之光”(No.RCPY200901);新疆维吾尔自治区科技计划(No.201116147)资助项目。 |
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| 摘 要： | 采用氧化物固相法制备(LaMn1-xTixO3)0.67(NiMn2O4)0.33系列NTC(Negative temperature coefficient)复合热敏电阻材料。利用TG/DSC、激光粒度分析、XRD、SEM、阻-温特性和老化性能测试等手段,确定了粉体煅烧温度,表征了粉体的颗粒尺寸、陶瓷体的物相、形貌及其电学特性、稳定性等与Ti掺杂量的关系。结果表明:在1 200~1 300℃烧结温度范围内,(LaMn1-xTixO3)0.67(NiMn2O4)0.33复合体系的电阻率ρ25℃随Ti含量的增加而显著增加;电阻率ρ25℃和B值变化范围分别为4.4~53 179Ω.cm、1 357~3 998 K。125℃下老化1 000 h阻值变化率ΔR/R0均小于0.51%。该复合体系电阻率、B值调整范围较大,稳定性好,是一种具有实际应用价值的NTC热敏电阻材料。
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| 关 键 词： | (LaMn1-xTixO3)0.67(NiMn2O4)0.33 Ti掺杂 NTC复合热敏陶瓷 电性能 |
| 收稿时间： | 2012/9/17 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2012/11/14 0:00:00 |
Effect of Ti-Doped in (LaMn1-xTixO3)0.67(NiMn2O4)0.33 Ceramics on Microstructure and Electrical Properties |
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| GUAN Fang,ZHANG Hui-Min,ZHAO Li-Jun,CHANG Ai-Min,ZHAO Peng-Jun and ZHANG Bo.Effect of Ti-Doped in (LaMn1-xTixO3)0.67(NiMn2O4)0.33 Ceramics on Microstructure and Electrical Properties[J].Chinese Journal of Inorganic Chemistry,2013,29(4):760-766. |
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| Authors: | GUAN Fang ZHANG Hui-Min ZHAO Li-Jun CHANG Ai-Min ZHAO Peng-Jun and ZHANG Bo |
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| Institution: | Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China;Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Urumqi 830011, China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China;Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Urumqi 830011, China;Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China;Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Urumqi 830011, China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China;Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Urumqi 830011, China;Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China;Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Urumqi 830011, China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;Xinjiang Technical Institute of Physics and Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China;Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Urumqi 830011, China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | (LaMn1-xTixO3)0 67(NiMn2O4)0 33 Ti-doped NTC composite thermistor ceramics electrical property |
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