|
|||||
|
|
| ATLEED研究6H-SiC(0001)-(3×3)R30°重构表面 | |
| 引用本文： | 邓丙成,陈滢,徐耕,陈文华,何永健,谢茂海,唐叔贤.ATLEED研究6H-SiC(0001)-(3×3)R30°重构表面[J].物理学报,2001,50(1). |
| 作者姓名： | 邓丙成 陈滢 徐耕 陈文华 何永健 谢茂海 唐叔贤 |
| 作者单位： | 1. 华南建设学院西院基础部, 2. 中山大学物理系, 3. 香港大学物理系, 4. 香港大学物理系,香港 |
| 摘 要： | 低能电子衍射(LEED)对6H-SiC(0001)-(3×3)R30°表面的研究结果表明，该表面有1/3单层的Si原子吸附在T4空位上与第一个SiC复合层中的三个Si原子键接，它们之间的垂直距离为0.171nm.通过对该表面10个非等价垂直入射衍射束的自动张量低能电子衍射(ATLEED)计算，得到“最佳结构”由于表面SiC复合层堆积顺序不同而产生的三种表面终止状态(surface termination)的混合比例为S1∶S2∶S3=15∶15∶70,理论计算与实验I-V曲线比较得到可靠性因子RVHT=0.165,RP=0.142,表明表面生长符合能量最小化的台阶生长机制. |
| 关 键 词： | 6H-SiC(0001) 表面重构 表面终止状态 LEED |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文 | |