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四元合金Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y的禁带宽度与组分关系的计
作者姓名:田园  张宝林  金亿鑫  周天明  李树纬  宁永强  蒋红  元光
作者单位:中国科学院长春物理研究所
摘    要:四元合金Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y的禁带宽度与组分关系的计算与讨论田园,张宝林,金亿鑫,周天明,李树纬,宁永强,蒋红,元光(中国科学院长春物理研究所,长春130021)GalnAsSb是直接带隙、窄禁带的半导体材料,其波长范围为...

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