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一种采用CMOS0.18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线
引用本文:周洪,贺龙.一种采用CMOS0.18μm制造的带EBG结构小型化的片上天线[J].电子元器件应用,2012(Z1):60-62.
作者姓名:周洪  贺龙
作者单位:北方通用电子集团有限公司
摘    要:采用标准0.18μm CMOS工艺设计制造了一种带EBG(电磁带隙)结构的小型化片上天线。该片上天线由一根长1.6mm的偶极子天线以及一对一维的尺寸为240μm×340μmEBG结构构成。分别对该EBG结构以及片上天线的S11及S21进行了仿真和测试,结果表明该片上天线工作在20GHz,具有小型化的性能,同时具备三次谐波抑制的功能。

关 键 词:片上天线  CMOS  EBG
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