| 基于有限元参数化设计的碳纳米管的场致增强因子计算 |
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| 引用本文： | 解滨,陈波.基于有限元参数化设计的碳纳米管的场致增强因子计算[J].发光学报,2004,25(4):446-448,i001. |
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| 作者姓名： | 解滨 陈波 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 空间软X射线 /极紫外波段成像基础技术研究 ( 60 2 2 3 0 0 3 )资助项目 |
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| 摘 要： | 碳纳米管由于尺寸极小，它具有很大的场增强因子，且场发射稳定，这些特性使碳纳米管成为一种性能优良的场致发射材料。影响碳纳米管发射电流的重要参数是场增强因子，这需要求解拉普拉斯方程，由于理论解求解很困难，有限元方法成为一种有效的工具。使用有限元程序ANSYS对碳纳米管的静态电场进行了计算，建立了单根碳纳米管的模型，确定了边界条件。研究了金属型碳纳米管尖端周围的电场强度分布，为了更好地了解碳纳米管顶端附近的电场对长径比的影响，使用了参数化设计语言APDL，使得分析效率大大提高，并且计算结果与实际情况相符。说明这种方法是正确、可靠和高效的。
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| 关 键 词： | 碳纳米管 电场强度 长径比 场增强因子 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)04-0446-03 |
Calculation of CNT's Electric Field Enhancement Factor Based on Finite Element Method |
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| XIE Bin,CHEN Bo.Calculation of CNT's Electric Field Enhancement Factor Based on Finite Element Method[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(4):446-448,i001. |
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| Authors: | XIE Bin CHEN Bo |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CNT electric field aspect ratio electric field enhancement factor |
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