| 多孔硅的形成与光致发光谱 |
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| 引用本文： | 汪开源 徐伟宏. 多孔硅的形成与光致发光谱[J]. 半导体光电, 1994, 15(3): 255-258,272 |
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| 作者姓名： | 汪开源 徐伟宏 |
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| 作者单位： | 东南大学电子工程系 |
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| 摘 要： | 介绍了用阳极氧化腐蚀形成多孔硅的工艺，并分析了它的微结构，实验测定了多孔硅光致发光谱（ＰＬ），由ＰＬ谱的峰值位于可见光区，不同于Ｓｉ的带隙能量；用纳米量子限制效应（Ｑ－ＣＥ），解释了多孔硅中进入量子线中电子和空穴能量增量为ΔＥｃ和ΔＥｖ，于是多了孔硅有效带宽成为Ｅ＝Ｅ。＋ΔＥ。而Ｅ。是Ｓｉ的带宽为ｌ．０８ｅＶ，ΔＥｃ和上ΔＥｖ分别为ｈ２／４ｍｅｑ２和ｈ２／４ｍｈｑ２，由此计算与实验结果一致。
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| 关 键 词： | 多孔硅 微结构 光致发光谱 阳极氧化腐蚀 硅 |
Preparation of Porous Silicon and Its Photoluminescent Spectrum |
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| Wang Kaiyuan,Xu Weihong,Tang Jieying. Preparation of Porous Silicon and Its Photoluminescent Spectrum[J]. Semiconductor Optoelectronics, 1994, 15(3): 255-258,272 |
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| Authors: | Wang Kaiyuan Xu Weihong Tang Jieying |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Porous Silicon Microstructure Photoluminescent Spectrum |
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