|
|||||
|
|
| IR推出新型逻辑电平沟道MOSFET,提供基准效率和更高电流额定值 | |
| 摘 要： | 国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出新系列逻辑电平栅极驱动沟道HEXFET功率MOSFET。该器件具有基准通态电阻（RDS（on））和高封装电流额定值，适用于高功率DC电机和电动工具，工业电池及电源应用。 |
| 关 键 词： | HEXFET功率MOSFET 逻辑电平 额定值 高电流 沟道 基准 国际整流器公司 IR |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
|
||||||||||
|
||||||||||
|
||||||||||
|
|
|
|
| 设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏 |
|
Copyright©北京勤云科技发展有限公司 京ICP备09084417号 |