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| 高磁场下锗中电子-空穴液滴的光致发光 | |
| 作者姓名： | R.W.Martin |
| 作者单位： | 西德斯图嘉特大学物理系 |
| 摘 要： | 我们研究了自由激子(FE)和电子-空穴液滴(EHD)在纯锗和掺As锗中,当顺着100]方向加磁场时的光致发光。图1给出了从0到100KG的典型的光谱系。总的光强实际上在整个观察区是常数,只有在低场时产生轻微的振荡,这是由于载流子浓度的振动所引起的。随着磁场增加,FE线以E=2.45×10~4×H~2mev/(KG)~2的关系,向高能边作二次位移。EHD发光的高能边,平行于FE线移动,与FE峰相距一个常数,约为2.4mev。(这个间距在 |
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