| Ge掺杂n型Sn基Ⅷ型单晶笼合物的制备及热电传输特性 |
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| 引用本文： | 孟代仪,申兰先,晒旭霞,董国俊,邓书康.Ge掺杂n型Sn基Ⅷ型单晶笼合物的制备及热电传输特性[J].物理学报,2013,62(24):247401-247401. |
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| 作者姓名： | 孟代仪 申兰先 晒旭霞 董国俊 邓书康 |
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| 作者单位： | 云南师范大学, 太阳能研究所, 可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室, 昆明 650092 |
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| 摘 要： | 采用Sn自熔剂法制备了具有n型传导的Ⅷ型Ba8Ga16-xGexSn30 （0 ≤ x ≤ 1.0）单晶笼合物，并对其结构和热电特性进行研究. 研究结果表明：Ge在单晶中的实际含量较少，随着掺杂量的增加样品的晶格常数略有减小，Ge掺杂后样品的载流子浓度较掺杂前低，迁移率增加；所有样品的Seebeck系数均为负值，且绝对值较未掺杂样品低，但Ge掺杂后样品的电导率提高了62%；x=0.5的样品在500 K附近取得最大ZT值1.25.
关键词：
Ⅷ型笼合物
n型传导
热电性能
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| 关 键 词： | Ⅷ型笼合物 n型传导 热电性能 |
| 收稿时间： | 2013-09-03 |
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