周期性纳米洞内边缘氧饱和石墨烯纳米带的电子特性 |
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作者姓名: | 曾永昌 田文 张振华 |
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作者单位: | 长沙理工大学物理与电子科学学院, 长沙 410114 |
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摘 要: | 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,研究了内边缘氧饱和的周期性凿洞石墨烯纳米带(G NR)的电子特性. 研究结果表明:对于凿洞锯齿形石墨烯纳米带(ZGNRs),在非磁性态时不仅始终为金属,且金属性明显增强;反铁磁态(AFM)时为半导体的ZGNR,凿洞后可能成为金属;但铁磁态(FM)为金属的ZGNR,凿洞后一般变为半导体或半金属. 而对于凿洞的扶手椅形石墨烯(AGNRs),其带隙会明显增加. 深入分析发现:这是由于氧原子对石墨烯纳米带边的电子特性有重要的影响,以及颈次级纳米带(NSNR)及边缘次级纳米带(ESNR)的不同宽度及边缘形状(锯齿或扶手椅形)能呈现出不同的量子限域效应. 这些研究对于发展纳米电子器件有重要的意义.
关键词:
石墨烯纳米带
纳米洞
内边缘氧饱和
电子特性
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关 键 词: | 石墨烯纳米带 纳米洞 内边缘氧饱和 电子特性 |
收稿时间: | 2013-08-04 |
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