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| 生长条件对脉冲激光沉积制备ZnO：Al薄膜光电性能的影响 | |
| 作者姓名： | 韩军 张鹏 巩海波 杨晓朋 邱智文 自敏 曹丙强 |
| 作者单位： | 济南大学材料科学与工程学院, 山东省高校无机功能材料重点实验室, 济南 250022 |
| 摘 要： | 本文研究了脉冲激光沉积(PLD)生长过程中, 铝掺量、氧压及衬底温度等实验参数对ZnO:Al(AZO)薄膜生长的影响, 并利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、霍尔效应、光透射光谱等实验手段对其透明导电性能进行了探讨. 变温霍尔效应和光透射测量表明, 当靶材中铝掺量大于0.5 wt%时, 所制备AZO薄膜中铝施主在80 K时已完全电离, 因Bernstein-Moss (BM) 效应其带隙变大, 均为重掺杂简并半导体. 进一步系统研究了氧压和衬底温度对AZO薄膜透明导电性能的影响, 实验发现当氧压为1 Pa, 衬底温度为200 ℃时, AZO 导电性能最好, 其霍尔迁移率为28.8 cm2/V·s, 薄膜电阻率最小可达2.7×10-4 Ω·cm, 且在可见光范围内光透过率超过了85%. 氧压和温度的增加, 都会导致薄膜电阻率变大.关键词：脉冲激光沉积法ZnO：Al薄膜透光性导电性 |
| 关 键 词： | 脉冲激光沉积法 ZnO：Al薄膜 透光性 导电性 |
| 收稿时间： | 2013-06-03 |
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